La luminosità di questi LED è sufficiente per implementare la più avanzata tecnologia di sensori e comunicazione. Le scoperte del MIT possono portare una produzione semplificata e migliori prestazioni ai prodotti elettronici su scala nanometrica. Normalmente, il silicio rende la sorgente luminosa meno efficace. Per risolvere questo problema, gli ingegneri elettrici di solito usano altri materiali per realizzare LED. Il focus dei ricercatori LED a base di silicio per risolvere il problema è la giunzione appositamente progettata, che è il contatto tra le diverse aree del diodo per migliorare la luminosità. Questa tecnologia migliora l'efficienza e consente ai LED di lavorare a basse tensioni generando al contempo una luce sufficiente per trasmettere segnali attraverso un cavo in fibra ottica da 5 metri.
Di conseguenza, il fab può produrre altri componenti microelettronici in silicio, come transistor e rivelatori di fotoni, durante la produzione di LED. Sebbene il nuovo LED integrato non superi i tradizionali semiconduttori III-V utilizzati nella produzione di LED, può facilmente sconfiggere i precedenti tentativi di LED a base di silicio. I ricercatori vedono che un giorno la tecnologia LED può essere costruita direttamente su processori in silicio senza un processo di produzione separato.
